1.作为阳极修饰层

氟化锂（LiF）可以作为阳极修饰层被引入到OLED层状结构中。通过真空热蒸发镀膜法，在OLED的ITO（氧化铟锡）阳极上沉积一层超薄LiF，这层LiF能够有效地修饰ITO表面，减少阳极和有机层界面的缺陷态形成，从而增强器件的稳定性。实验结果表明，含有1nm厚LiF空穴缓冲层的器件性能最好，效率较不含缓冲层的器件提高了近1.5倍。LiF层能够有效地阻挡空穴注入，增强载流子注入平衡，从而提高器件的亮度和效率。

2.作为空穴阻挡/激子限制层

在双层有机电致发光器件（OLEDs）中，氟化锂薄层可以被引入到发光/电子传输层中，作为空穴阻挡/激子限制层。研究表明，LiF薄层在不同位置均能明显提高器件的发光效率。当LiF薄膜距离TPD（空穴传输层）/Alq3（发光/电子传输层）界面20~40nm时，OLEDs的最大发光效率约为4.5 cd/A，是对比器件（没有LiF薄层）的1.8倍。LiF薄层可有效阻挡进入复合发光区域未复合的过剩空穴并导致其积累，空穴积累可提高电子传输区域中的电场，从而提高其中电子的传输和从阴极的注入，进而提高复合发光区域中载流子的平衡及其复合几率。同时，LiF薄层还可将激子限制在复合发光区域，减少激子被阴极淬灭的几率。

3.高透射率与光学性能

氟化锂晶体的透射率在真空紫外110nm到红外6.0μm之间，是真空紫外区透射率最好的材料之一。这一特性使得氟化锂晶体非常适合用于制备紫外-可见-红外领域的光学窗口、透镜、棱镜和折射元件。在OLED屏镀膜中，氟化锂晶体的高透射率有助于提升屏幕的光学性能，使得OLED屏幕能够呈现出更加清晰、鲜艳的图像。